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DRAM新纪元!美光率先以1Z製程量产16Gb DDR4

时间: 2019-10-09 13:26:57 | 来源: 新浪财经 | 阅读:

DRAM新纪元!美光率先以1Z製程量产16Gb DDR4

▲美光(Micron)中科后里后段封测厂。(图/资料照)

记者周康玉/台北报导

美光(Nasdaq: MU),今(27)日宣布要开始使用1z奈米製程技术,成为全球第一家量产16Gb DDR4产品的记忆体公司,迈入DRAM新纪元;同时推出业界最高容量的单片16Gb低功率双倍资料速率4X(LPDDR4X)DRAM。

与上一代 1y奈米节点相比,1z奈米16Gb DDR4产品显着提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。同时,它也促进美光持续改善其运算 DRAM(DDR4)、行动 DRAM(LPDDR4)和图形 DRAM(GDDR6)产品系列的相对效能和功耗。对于包括人工智慧、自动驾驶车辆、5G、行动装置、图形、游戏、网路基础设施和伺服器等应用而言,功率和效能之间的优化平衡是关键的差异化因素。

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美光技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示,现今扩充DRAM条件变得更加複杂,美光开发和量产业界最小尺寸的DRAM节点展现了世界级的工程和製造能力。

透过量产16Gb DDR4记忆体解决方案,美光开始将技术移转至1z奈米,使用更小的节点进行生产带来多项优势,包括功耗较上一代 8Gb DDR4产品降低约40%;美光全面的1z奈米DDR4产品组合也满足资料中心对更高效能、更高容量和更低功耗,日益增长的需求。

此外,美光今日也宣布公司已开始批量出货基于 UFS 规範多晶片封装 (uMCP4) 的业界最高容量单片 16Gb 低功率双倍资料速率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光的 1z nm LPDDR4X 和 uMCP4 满足了行动装置製造商寻求更低功率和更小封装,以设计具有吸引人的规格尺寸和长电池寿命的装置需求。

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